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2005年7月11日
株式会社日立国際電気

300mm縦型バッチ式超高温アニール装置を開発

300mm縦型バッチ式超高温アニール装置

  株式会社日立国際電気(本社 東京都中野区、社長 長谷川 邦夫、以下 日立国際電気)は、300mm縦型バッチ式超高温アニール装置を開発しました。本製品は、独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の先端的デバイスプロセス装置技術開発(次世代半導体デバイスプロセス等基盤技術プログラム補助事業)の一環として、平成14年度から3年間にわたり開発を続けてきたものです。(*1)SIMOXウェーハのアニールプロセスに必要な1,350℃以上の加熱技術、温度制御技術、結晶欠陥低減技術、金属汚染低減技術などの高度化技術を結集した装置で、年内の販売を予定しています。

[背景]

  情報機器の小型化、高性能化に伴い、構成するデバイスの処理スピードの高速化、低消費電力化が要求されています。これらの要求を満たす最適なウェーハとして(*2)SOIウェーハが注目され、デバイスへの導入の動きが活発化してきました。SOIウェーハの中でも製造工程数が少なく、低コスト化のメリットがあるSIMOXウェーハの市場の拡大が期待されています。この市場の拡大に対応するため、日立国際電気はSIMOXウェーハの量産に対応した300mm縦型バッチ式超高温アニール装置を開発しました。

[特長]

(1) 高スループット
  縦型バッチ式装置の自動搬送機構を装備し、最大処理枚数は1バッチ75枚処理を実現。
(2) 精密温度制御
  SIMOXアニールに必要な1,350℃を上回る、最高処理温度1,400℃までを±1℃の高精度で制御。
(3) 高精度プロセス
  (3)-1 (*3)結晶欠陥(スリップライン)フリー・・・バッチ処理でのスリップラインフリーを実現
  (3)-2 (*4)金属汚染低減・・・金属汚染量5×1010atms/cm2以下達成
  (3)-3 バッチ間酸化膜厚均一性・・・±0.2%以下達成

(*1)
SIMOX(Separation by Implanted Oxygen)
シリコンウェーハに酸素イオンを注入した後、高温でアニールすることにより、埋め込み酸化層を形成するSOI技術。
(*2)
SOI(Silicon on Insulator)
絶縁層(Insulator層)の上に、単結晶シリコン層(Silicon層)が形成された構造のこと。デバイスはこのシリコン層中に作製される。SOIウェーハを使用したデバイスでは、処理速度の高速化と低消費電力化が図れる。
(*3)
結晶欠陥(スリップライン)
シリコンウェーハを高温でアニールした際、発生する微小な亀裂のこと。
(*4)
金属汚染
金属による汚染。金属(特に重金属であるFe、Cuなどの元素)がシリコンウェーハ表面に付着した場合、プロセス工程で金属がシリコンウェーハ内に拡散し、デバイス不良の原因となる。

以上


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