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Hitachi

株式会社 日立国際電気

枚葉プラズマ窒化・酸化装置「MARORA」

アプリケーション

枚葉プラズマ窒化・酸化装置「MARORA」

プラズマ窒化

  • 絶縁膜窒化

プラズマ酸化

  • 薄膜酸化膜形成
  • 選択酸化
  • 異方性酸化

概要

MARORA(マローラ)は、次世代DRAM、ロジックのゲート絶縁膜形成、フラッシュメモリの絶縁膜形成に最適な装置です。
MARORAは、独自のプラズマ生成方式(MMT*方式)を用いることにより、効率良く約1eVの低電子温度のプラズマ形成が可能で、プラズマダメージフリーなプラズマ処理を実現しております。

  • * MMT・・・Modified Magnetron Typed

特長

高スループット

  • 従来モデルの最大2倍の生産性を実現

MMTプラズマ源搭載

  • 基板表面におけるプラズマの高均一化とプラズマの低電子温度化(〜1eV)を実現

広範囲の温度制御可能

  • 高温ヒーターを搭載

豊富なアプリケーション

  • プラズマ酸化、プラズマ窒化に加えて、メタルを酸化せずにSiを選択的に酸化する「選択酸化」が可能

枚葉プラズマ窒化・酸化装置「MARORA」に関するお問い合わせ

電子機械事業部

お電話・FAXでのお問い合わせは
TEL(03)6734-9470 FAX(03)5209-5943