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Hitachi

株式会社 日立国際電気

バッチEpi-SiGe/Si装置

アプリケーション

バッチEpi-SiGe/Si装置

  • Epi-Si
  • Epi-SiGe

概要

当社のバッチEpi-SiGe/Si装置は、多くの出荷実績のあるロードロックバッチサーマルプロセス装置をベースとすることで、高スループット、低CoO(Cost of Ownership)を実現し、高品質な結晶を低温成膜で実現します。
半導体デバイス用途以外の太陽電池などにも、ご使用いただけます。

特長

  • 多数枚一括同時処理により高スループット実現
  • 低温での高品質エピタキシャル成長可能
  • 300mmウェーハ対応
  • 多くの出荷実績を誇るロードロックバッチサーマルプロセス装置のベースに高い信頼性

バッチEpi-SiGe/Si装置 に関するお問い合わせ

電子機械事業部

お電話・FAXでのお問い合わせは
TEL(03)6734-9470 FAX(03)5209-5943