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Hitachi

Hitachi Kokusai Electric Inc.

单片式等离子氮化、氧化设备“MARORA”

应用

单片式等离子氮化、氧化设备“MARORA”

等离子氮化

  • 绝缘膜氮化

等离子氧化

  • 薄膜氧化膜形成
  • 选择氧化
  • 各向异性氧化

概述

MARORA是下一代DRAM、逻辑门绝缘膜形成、闪存器的绝缘膜形成的最佳设备。
MARORA通过采用独创的等离子体生成方式(MMT*方式),能高效率地进行低电子温度(约1eV)的等离子体形成,实现了等离子体无伤无损的等离子体处理。

*
MMT・・・Modified Magnetron Typed(改性磁控类型)。

特点

高产出

  • 最大是传统机型2倍的生产率

搭载MMT等离子体源

  • 实现了基板表面等离子体的高均匀化和等离子体的低电子温度化(~1eV)

能进行大范围温度控制

  • 搭载高温加热器

丰富的应用

  • 等离子体氧化、等离子体氮化,以及“选择氧化”,能不使金属氧化地对Si有选择地进行氧化